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     统包服务
    非显示驱动IC产品,如Power IC、RFIC等,依据客户的产品类别以及不同的封装方式 (SOT、SOP、DFN、QFN、LGA等),提供厚铜重新布线(Thick Cu RDL),铜柱凸块(Cu Pillar Bump,CPB) 制程服务。厚铜重新布线(Thick Cu RDL)制程,是大电流Power IC产品降低产品Rdson,提升带载能力最为经济有效的方案,颀中科技同时可提供Thick Cu RDL、以及Power IC的CP测试服务。铜柱凸块(Cu Pillar Bump,CPB)制程,是大电流Power IC进一步降低产品Rdson、缩小芯片封装尺寸的最先进的封装方式,也是RFIC降低寄生电阻和寄生电感,提升产品性能的最佳选择。颀中科技与合作厂商一同为客户提供从Cu Pillar Bump、减薄划片、覆晶封装到最终测试的完整流程,并将完成的产品送至客户指定地点。
    颀中科技在2019年Q3,新增“晶圆级晶片尺寸封装WLCSP”的统包服务,可为客户提供更完善的晶圆级加工选项。
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     特点
    厚铜重新布线(Thick Cu RDL):  
    厚铜制程主要应用在Power IC等产品上,需要在Foundry fab 之后,采用Thick Cu RDL将产品线路布线及功能进一步优化,搭配后续传统封装厂的打线(Wire bonding)工艺,封装成SOT、SOP、DFN以及QFN等形式进行出货。 
    铜柱凸块(Cu Pillar Bump,CPB):  
    铜柱凸块制程主要应用在Power IC以及RFIC等产品上,采用Cu Pillar工艺,可以大幅降低IC的寄生电阻、电容及电感,提升客户产品的各项性能,如IC的导通电阻、电源转换效率、芯片反应速度等。搭配后续的覆晶(Flip chip)封装工艺,封装成SOT、SOP、DFN、QFN以及LGA等形式进行出货。
    晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)
    晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Packaging)是先在整片晶圆上进行封装和测试,然后经切割并将IC直接用机台以pick up & flip方式将其放置于Carrier tape中,并以Cover tape保护好后,提供后段SMT (Surface Mounting technology)使用。
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     产品应用
    ※ 厚铜重新布线(Thick Cu RDL)   
      1. 电源管理IC(Power IC)   
      2. 音频放大器(Audio PA)   
      3. 分立器件(Discrete Device)   
      4. 微机电系统(MEMS)   
    ※ 铜柱凸块(Cu Pillar Bump,CPB)   
      1. 电源管理(Power IC)   
      2. 射频芯片(RF IC)   
      3. 基带芯片(Base Band)   
      4. 功率放大器(Power Amplifier)   
      5. 应用处理器(Application processor)   
      6. 高脚数逻辑IC (High Pin Logic)   
      7. 记忆体及行动装置 (Memory & Mobile) 
    ※ 晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP)  
      1. 电源类IC (PMIC/PMU, DC/DC converters, MOSFET’ s,...)
      2. 光电元器件
      3. 网通元器件 (Bluetooth, WLAN)
      4. 其他应用 (FM, GPS, Camera) 
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     生产流程简介

    ※ Thick Cu RDL 产品生产流程

     

    ※ Cu Pillar Bump 产品生产流程 

            

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     主要服务项目
    ※ Thick Cu RDL
    ※ Cu Pillar Bump
    ※ Solder Bump / Solder Ball Drop
    ※ CP testing, Program debug
    ※ Wafer Grinding, Dicing, Laser grooving
    ※ Tape & Reel
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